Ubiquiti M.2 SSD Tray • UACC-SSD-Tray
UVP Netto: 15,38 €
Nicht Lagernd
Produktinformationen "Ubiquiti M.2 SSD Tray • UACC-SSD-Tray"
Cloud Gateway Max und Cloud Gateway Fiber unterstützen M.2 NVMe mit PCIe Gen3 x2-Lanes. Alle M.2 NVMe-SSDs sind kompatibel, die Leistung ist jedoch auf Gen3x2 beschränkt.
- Kompatibilität: UCG-Fiber
Technische Daten:
| Mechanisch | |
|---|---|
| Maße | 123,4 x 31,1 x 11,2 mm (4,9 x 1,2 x 0,4 Zoll) |
| Gewicht | 53 g (1,9 oz) |
| Gehäusematerial | Aluminiumlegierung, Polycarbonat, Edelstahl |
• Kapazität: 128 GB • Interner Datendurchsatz: 1800 MBps (lesen)/ 1500 MBps (Schreiben) • NAND-Flash-Speichertyp: 3D triple-level cell (TLC) • Formfaktor: M.2 2280 • Schnittstelle: PCI Express 3.0 x4 (NVMe) • Merkmale: TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung, Intelligent SLC Caching, Low-Density Parity Check, NVM Express (NVMe) 1.3, S.M.A.R.T.
Nicht Lagernd
• Kapazität: 240 GB • Interner Datendurchsatz: 1600 MBps (lesen)/ 1300 MBps (Schreiben) • Schnittstelle: SATA 6Gb/s
Nicht Lagernd
• Typ: Solid State Module, M.2 2280, M.2/M-Key PCIe 3.0 x4 • Geschwindigkeit: (L) 2900MB/s - (S) 1300MB/s • Module: 3D-NAND TLC • TBW: 150TB • Cache: SLC • Herstellergarantie: fünf Jahre oder bis Erreichen der TBW
Nicht Lagernd
• Kapazität: 250 GB • Interner Datendurchsatz: 3200 MBps (lesen)/ 2000 MBps (Schreiben) • NAND-Flash-Speichertyp: 3D TLC NAND Flash • Formfaktor: M.2 2280 • Schnittstelle: PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Nicht Lagernd
• Kapazität: 256 GB • Interner Datendurchsatz: 1600 MBps (lesen)/ 800 MBps (Schreiben) • NAND-Flash-Speichertyp: 3D triple-level cell (TLC) • Formfaktor: M.2 2280 • Schnittstelle: PCI Express 3.0 x4 (NVMe) • Merkmale: TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung, Intelligent SLC Caching, Low-Density Parity Check, NVM Express (NVMe) 1.3, S.M.A.R.T.
Nicht Lagernd
• Kapazität: 256 GB • Interner Datendurchsatz: 2000 MBps (lesen)/ 950 MBps (Schreiben) • NAND-Flash-Speichertyp: 3D NAND Flash • Formfaktor: M.2 2230 • Schnittstelle: PCI Express 3.0 x4 (NVMe) • Merkmale: S.M.A.R.T., Advanced Garbage Collection, LDPC Coding
Nicht Lagernd
• Kapazität: 500 GB • Interner Datendurchsatz: 1900 MBps (lesen)/ 900 MBps (Schreiben) • NAND-Flash-Speichertyp: Quad-Level Cell (QLC) • Formfaktor: M.2 2280 • Schnittstelle: PCI Express 3.0 x4 (NVMe) • Merkmale: Advanced Garbage Collection, LDPC Fehlerkorrektur, 3D NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, S.M.A.R.T.
Nicht Lagernd
• Kapazität: 500 GB • Interner Datendurchsatz: 3800 MBps (lesen)/ 2800 MBps (Schreiben) • NAND-Flash-Speichertyp: 3D NAND • Formfaktor: M.2 2280 • Schnittstelle: PCI Express 4.0 x4 (NVMe) • Merkmale: Advanced Garbage Collection, SSD-Überwachung, DRAM-Cache, LDPC Fehlerkorrektur, 3D NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.4, Thermomanagement, RAID Engine, Graphen-Kühltechnologie, 4-Kanal-Controller, S.M.A.R.T.
Nicht Lagernd
• Kapazität: 500 GB • Interner Datendurchsatz: 5300 MBps (lesen)/ 4600 MBps (Schreiben) • NAND-Flash-Speichertyp: 3D NAND • Formfaktor: M.2 2280 • Schnittstelle: PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Nicht Lagernd
• Kapazität: 512 GB • Interner Datendurchsatz: 1800 MBps (lesen)/ 1500 MBps (Schreiben) • NAND-Flash-Speichertyp: 3D triple-level cell (TLC) • Formfaktor: M.2 2280 • Schnittstelle: PCI Express 3.0 x4 (NVMe) • Merkmale: TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung, Intelligent SLC Caching, Low-Density Parity Check, NVM Express (NVMe) 1.3, S.M.A.R.T.
Nicht Lagernd
• Kapazität: 512 GB • Interner Datendurchsatz: 1700 MBps (lesen)/ 1400 MBps (Schreiben) • NAND-Flash-Speichertyp: 3D NAND Flash • Formfaktor: M.2 2280 • Schnittstelle: PCIe 3.0 x4 (NVMe) • Merkmale: TRIM-Unterstützung, LDPC Fehlerkorrektur, 3D NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, S.M.A.R.T.
Nicht Lagernd
• Kapazität: 512 GB • Interner Datendurchsatz: 3500 MBps (lesen)/ 2800 MBps (Schreiben) • NAND-Flash-Speichertyp: 3D triple-level cell (TLC) • Formfaktor: M.2 2280 • Schnittstelle: PCIe 3.0 x4 (NVMe) • Merkmale: LDPC Fehlerkorrektur, 3D NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, AHCI
Nicht Lagernd
• Kapazität: 512 GB • Interner Datendurchsatz: 2000 MBps (lesen)/1100 MBps (Schreiben) • NAND-Flash-Speichertyp: 3D NAND Flash • Formfaktor: M.2 2230 • Schnittstelle: PCI Express 3.0 x4 (NVMe) • Merkmale: S.M.A.R.T., Advanced Garbage Collection, LDPC Coding
Nicht Lagernd
• Typ: Solid State Module, M.2 2280, M.2/M-Key PCIe 3.0 x4 • Geschwindigkeit: (L) 3500MB/s - (S) 3000MB/s • Module: 3D-NAND TLC • TBW: 600TB • Cache: SLC • Herstellergarantie: fünf Jahre oder bis Erreichen der TBW
Nicht Lagernd
• Kapazität: 1000 GB • Interner Datendurchsatz: 2000 MBps (lesen)/ 1500 MBps (Schreiben) • NAND-Flash-Speichertyp: Quad-Level Cell (QLC) • Formfaktor: M.2 2280 • Schnittstelle: PCIe 3.0 x4 (NVMe) • Merkmale: Advanced Garbage Collection, LDPC Fehlerkorrektur, 3D NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, S.M.A.R.T.
Nicht Lagernd
• Kapazität: 1000 GB • Interner Datendurchsatz: 1800 MBps (lesen)/ 1500 MBps (Schreiben) • NAND-Flash-Speichertyp: 3D-NAND Flash • Formfaktor: M.2 2280 • Schnittstelle: PCIe 3.0 x4 (NVMe) • Merkmale: TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung, Intelligent SLC Caching, Low-Density Parity Check, NVM Express (NVMe) 1.3, S.M.A.R.T.
Nicht Lagernd
• Kapazität: 1000 GB • Interner Datendurchsatz: 1700 MBps (lesen)/ 1400 MBps (Schreiben) • NAND-Flash-Speichertyp: 3D-NAND Flash • Formfaktor: M.2 2280 • Schnittstelle: PCIe 3.0 x4 (NVMe) • Merkmale: TRIM-Unterstützung, LDPC Fehlerkorrektur, 3D NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, S.M.A.R.T.
Nicht Lagernd
• Kapazität: 1000 GB • Interner Datendurchsatz: 3800 MBps (lesen)/ 3200 MBps (Schreiben) • NAND-Flash-Speichertyp: D NAND-Flash • Formfaktor: M.2 2280 • Schnittstelle: PCIe 4.0 x4 (NVMe) • Merkmale: Advanced Garbage Collection, SSD-Überwachung, DRAM-Cache, LDPC Fehlerkorrektur, 3D NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.4, Thermomanagement, RAID Engine, Graphen-Kühltechnologie, 4-Kanal-Controller, S.M.A.R.T.
Nicht Lagernd
• Kapazität: 1000 GB • Interner Datendurchsatz: 5300 MBps (lesen)/ 4600 MBps (Schreiben) • NAND-Flash-Speichertyp: 3D NAND • Formfaktor: M.2 2280 • Schnittstelle: PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Nicht Lagernd
• Kapazität: 1000 GB • Interner Datendurchsatz: 7200 MBps (lesen)/ 6500 MBps (Schreiben) • NAND-Flash-Speichertyp: 3D-NAND Flash • Formfaktor: M.2 2280 • Schnittstelle: PCIe Gen4 x4 (NVMe)
Nicht Lagernd
• Kapazität: 2000 GB • Interner Datendurchsatz: 2400 MBps (lesen)/ 1700 MBps (Schreiben) • NAND-Flash-Speichertyp: 3D-NAND Flash • Formfaktor: M.2 2280 • Schnittstelle: PCIe 3.0 x4 (NVMe) • Merkmale: TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung, Intelligent SLC Caching, Low-Density Parity Check, NVM Express (NVMe) 1.3, S.M.A.R.T.
Nicht Lagernd
• Kapazität: 2000 GB • Interner Datendurchsatz: 3500 MBps (lesen)/ 2700 MBps (Schreiben) • NAND-Flash-Speichertyp: 3D NAND-Flash • Formfaktor: M.2 2280 • Schnittstelle: PCIe 3.0 x4 (NVMe) • Merkmale: DRAM-Cache, LDPC Fehlerkorrektur, 3D NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, S.M.A.R.T., AHCI
Nicht Lagernd
• Kapazität: 2000 GB • Interner Datendurchsatz: 5300 MBps (lesen)/ 4600 MBps (Schreiben) • NAND-Flash-Speichertyp: 3D NAND • Formfaktor: M.2 2280 • Schnittstelle: PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Nicht Lagernd
• Kapazität: 2000 GB • Interner Datendurchsatz: 7200 MBps (lesen)/ 6500 MBps (Schreiben) • NAND-Flash-Speichertyp: 3D-NAND Flash • Formfaktor: M.2 2280 • Schnittstelle: PCIe Gen4 x4 (NVMe)
Nicht Lagernd