Aktiv Basic

Bei dem n-Kanal-MetallOxid-Transistor ist das Gate durch eine Oxidschicht von dem Source-Drain-Kanal getrennt, so dass dieser sehr hochohmig ist. Der Strom wird wiederum durch die Spannung am Gate gesteuert. Es gibt unterschiedliche MOSFETs, wir haben hier einen Anreicherungstyp n-Kanal MOSFET der bei einer positiven Spannung leitend wird, bei 0V (und weniger) sperrt er.

P-MOS Transistor mit Vorschalt Transistor BC 817. Durch den Vorschalttransistor kann die Ansteuerung mit 0-5V PWM oder ON / OFF Signal direkt mit dem Bewegungsmelder angesteuert werden. P-MOS Transistor Leistungsdaten: maximal 60V 18A. Kann im Bricksystem mit maximal 12A betrieben werden (Kontakte max. 6A pro Kontakt). Achtung im Brick geringe Kühlfläche, vor thermischer Überlastung schützen.

Bei dem n-Kanal-JFET (junction FET) wird der Strom durch der Source Drain Strecke durch die Spannung am Gate gesteuert. Beim n-Kanal-JFET ist dies eine negative Spannung. Wird die Spannung positiv fließt ein Strom durch die Gate-Source Diodenstrecke. Ohne Spannung leitet der n-JFET, bei einer negativen Spannung beginnt er zu sperren.

Unser Feldeffekt-Transistor steuert den Stromfluss zwischen Drain und Source über die am Gate angelegte Spannung. Das Besondere an diesem Bauelement ist, dass die Verbindung zwischen Gate und Source sehr hochohmig ist. Feldeffekttransistoren werden als „MOSFET“ (Metall-Oxid-Semileitender Feldeffekt-Transistor) bezeichnet oder kurz als „MOS“. Es gibt unterschiedliche Arten von MOS, dieser ist ein normal sperrender n-Kanal. Dies bedeutet, dass die Schwellspannung am Gate (Tor) anliegen muss, damit ein Stromfluss zwischen Drain (Abfluss) und Source (Quelle) erfahren wird. Die Spannung muss am Gate positiv zur Source sein. Der MOSFET kann bis zu 60V Source - Drain- Spannung vertragen und einen Spitzenstrom von 60A (nicht beides gleichzeitig versteht sich). Achtung. Die Kontakte des Brickssystems vertragen maximal 6.3A pro Kontakt. Der Gate-Eingang ist mit einer ESD 12V geschützt, sowie einem Widerstand von 22kOhm.

P-MOS Transistor mit Vorschalt Transistor BC 817. Durch den Vorschalttransistor kann die Ansteuerung mit 0-5V PWM oder ON / OFF Signal direkt aus dem Bluetooth, Arduino oder Banana Brick erfolgen. P-MOS Transistor Leistungsdaten max. 50V 75A. Kann im Bricksystem mit maximal 12A betrieben werden (Kontakte max 6A pro Kontakt). Achtung im Brick geringe Kühlfläche, vor thermischer Überlastung schützen.

Funktioniert wie ein normaler npn-Transistor, zusätzlich ist die Basis mit einer Linse nah außen zugänglich. Der Strom durch Emitter Kollektorstrecke kann so zusätzlich durch Licht gesteuert werden.

Unser Feldeffekt-Transistor steuert den Stromfluss zwischen Drain und Source über die am Gate angelegte Spannung. Das Besondere an diesem Bauelement ist, dass die Verbindung zwischen Gate und Source sehr hochohmig ist. Feldeffekttransistoren werden als „MOSFET“ (Metall-Oxid-Semileitender Feldeffekt-Transistor) bezeichnet oder kurz als „MOS“. Es gibt unterschiedliche Arten von MOS, dieser ist ein normal sperrender n-Kanal. Dies bedeutet, dass die Schwellspannung am Gate (Tor) anliegen muss, damit ein Stromfluss zwischen Drain (Abfluss) und Source (Quelle) erfahren wird. Die Spannung muss am Gate positiv zur Source sein. Der MOSFET kann bis zu 30V Source - Drain- Spannung vertragen und einen Spitzenstrom von 30A (nicht beides gleichzeitig versteht sich). Achtung. Die Kontakte des Brickssystems vertragen maximal 6.3A pro Kontakt.

PUT steht für Programmable Unijunction Transistor. Das "Gate" verbindet die Anode und Kathode, die sich an der ersten und der letzten p-n-dotierten Schicht befinden. Der PUT enthält drei p-n-Übergänge, ein normaler Unijunction Transistor nur einen. Mit PUTs lassen sich leicht Oszillatorschaltungen aufbauen.

Die Germaniumdiode erlaubt den Stromfluss nur in eine Richtung, nämlich der Durchlassrichtung. Die andere Richtung ist die Sperrrichtung, wird die Diode in dieser Richtung angeschlossen fließt kein Strom. Die Germaniumdiode basiert auf dem Halbleitermaterial Germanium, sie hat dadurch besonders günstige Eigenschaften als Gleichrichter für Radios. Das Besondere ist die sogenannte Schwellspannung, die sehr niedrig liegt.

Die Kapazitätsdiode ist nicht nur eine normale Diode, sie stellt in Sperrrichtung auch eine elektrisch steuerbare Kapazität zur Verfügung. Du kannst sie beispielsweise in Oszillatorschaltungen, oder auch in andere HF-Schaltungen einbauen.

Die Leistungs-Siliziumdiode erlaubt den Stromfluss nur in eine Richtung, nämlich der Durchlassrichtung. Die andere Richtung ist die Sperrrichtung, wird die Diode in dieser Richtung angeschlossen fließt kein Strom.

Beim Transistor wird der Stromfluss zwischen Emitter und Kollektor durch einen kleineren Stromfluss zwischen Emitter und Basis gesteuert. Bei der npn Version ist die Basis gegenüber dem Emitter positiv anzusteuern.

Beim Transistor wird der Stromfluss zwischen Emitter und Kollektor durch einen kleineren Stromfluss zwischen Emitter und Basis gesteuert. Bei der npn Version ist die Basis gegenüber dem Emitter positiv anzusteuern.

Die Siliziumdiode 1N4148 erlaubt den Stromfluss nur in eine Richtung, nämlich der Durchlassrichtung. Die andere Richtung ist die Sperrrichtung, wird die Diode in dieser Richtung angeschlossen fließt kein Strom. Sie wird gerne für Schaltanwendungen verwendet.

Die Fotodiode reagiert auf Licht: Ihre Spannung variiert in Abhängigkeit von der Helligkeit. Bei mehr Licht werden sie durchlässig.

Beim Transistor wird der Stromfluss zwischen Emitter und Kollektor durch einen kleineren Stromfluss zwischen Emitter und Basis gesteuert. Bei der pnp Version ist die Basis gegenüber dem Emitter negativ anzusteuern.

Wird eine normale Diode in Sperrrichtung betrieben, fließt zunächst kein Strom. Bei Erreichen einer bestimmten Spannung bricht die Diode durch und es fließt wieder Strom. Bei der Zenerdiode ist diese Durchbruchspannung besonders gezüchtet und genau definiert, wird als sogenannte Zenerspannung bezeichnet, die man zusammen mit der Diode in der Kennung angibt.